[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底；形成伪栅结构；形成应力层；形成源漏掺杂区；形成层间介质层；形成开口，开口底部露出氧化层；进行第一退火处理，以激活源漏掺杂区的掺杂离子；第一退火处理过程中，修复开口底部的氧化层。本发明技术方案中，由于层间介质层覆盖应力层，因此层间介质层对应力层能够起到压抑作用，能够降低应力层在第一退火处理过程中发生熔融现象的可能，抑制应力层在第一退火处理过程中发生应力释放，抑制应力层在第一退火处理过程中发生收缩。而且第一退火处理除了能够激活源漏掺杂区内的掺杂离子，还可以修复露出的氧化层，从而减少半导体结构形成过程中的加热工艺，提高所形成半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于所述基底上的氧化层以及位于所述氧化层上的伪栅极；在所述伪栅结构两侧的基底内形成应力层；对所述应力层进行离子掺杂，形成源漏掺杂区；形成覆盖所述应力层的层间介质层，所述层间介质层的顶部表面露出所述伪栅极；去除所述伪栅极，在所述层间介质层内形成开口，所述开口底部露出所述氧化层；进行第一退火处理，以激活所述源漏掺杂区的掺杂离子并修复所述开口底部的氧化层。