[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述结构包括：衬底，所述衬底包括：器件区和分别位于器件区两侧的第一连接区和第二连接区；位于第一连接区衬底上的第一鳍部、以及位于第二连接区衬底上的第二鳍部，第一鳍部与第二鳍部平行排列，且第一鳍部和第二鳍部的延伸方向垂直于第一鳍部和第二鳍部的排列方向；位于器件区、第一连接区和第二连接区衬底中、以及第一鳍部和第二鳍部中的掺杂区；横跨于第一鳍部的部分顶部上的第一插塞；横跨于第二鳍部的部分顶部上的第二插塞。所述半导体结构在使用时，电流的流经通道的横截面积较大，因此，第一鳍部和第二鳍部与所述掺杂区之间的接触电阻较小，能够改善所述半导体结构性能。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括：器件区和分别位于所述器件区两侧的第一连接区和第二连接区；位于所述第一连接区衬底上的第一鳍部、以及位于所述第二连接区衬底上的第二鳍部，所述第一鳍部与第二鳍部平行排列，且所述第一鳍部和第二鳍部的延伸方向垂直于所述第一鳍部和第二鳍部的排列方向；位于所述器件区、第一连接区和第二连接区衬底中、以及第一鳍部和第二鳍部中的掺杂区；横跨于所述第一鳍部的部分顶部上的第一插塞；横跨于所述第二鳍部的部分顶部上的第二插塞。