[发明专利]电子设备在审
申请号: | 201610756678.1 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106898692A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 李泰荣 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;G06F13/16 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 李少丹,许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术提供一种电子设备。根据本文件的实施方式的电子设备可以包括半导体存储器,且半导体存储器可以包括具有可变磁化方向的自由层;具有钉扎的磁化方向的钉扎层;以及介于钉扎层与自由层之间的隧道势垒层,其中自由层可以包括第一磁性层;形成在第一磁性层之上的第二磁性层;以及介于第一磁性层与第二磁性层之间的含锆(Zr)材料层。 | ||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
【主权项】:
一种电子设备,包括半导体存储器,其中,半导体存储器包括:自由层,具有可变磁化方向;钉扎层,具有钉扎的磁化方向;以及隧道势垒层,介于钉扎层与自由层之间,其中,自由层包括:第一磁性层;第二磁性层,形成在第一磁性层之上;以及含锆Zr材料层,介于第一磁性层与第二磁性层之间。
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