[发明专利]一种发光二极管显示器结构在审
申请号: | 201610759284.1 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN107785391A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 孙智江;赵见国 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种发光二极管显示器结构,该显示器包括一个或以上数量的显示单元,每个显示单元均由若干个像素构成;其特征在于所述的每个像素均包含三个或三个以上的次像素,相邻的次像素之间存在一个蚀刻间隙,且一个单元内同一列的次像素连接在同一个柔性电极A上,一个单元内同一行的次像素连接在同一个柔性电极B上,并实现行列驱动。本发明的优点在于本发明的柔性发光二极管显示器具有可弯曲的特点,且其无需背光源,有利于将显示器做薄,同时,其又是由性能稳定的无机半导体外延片制成,使用寿命长,且不会出现显示不均匀的状况;且能够极大程度上简化生产流程,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 显示器 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管显示器结构,该显示器包括一个或以上数量的显示单元,每个显示单元均由若干个像素构成;其特征在于:所述像素由III‑V族或II‑VI族半导体材料制成,所述的每个像素均包含三个或三个以上的次像素,相邻的次像素之间存在一个蚀刻间隙;所述次像素的直径在200nm~500 um之间,次像素的基本结构包括依次堆叠设置的调色层、N型半导体层、有源发光区、P型半导体层、柔性P电极和柔性基板,还包括与N型半导体层接触的柔性N电极,限定堆叠方向为同时垂直于所述行、列所在平面的方向,所述次像素沿堆叠方向自有源发光区侧向调色层侧出光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的