[发明专利]光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 201610763158.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785282A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 汪洋,冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法。所述检测方法包括光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；对所述晶圆进行缺陷检测。本发明所述方法可以用来检测光刻步骤的光酸或显影液等透明液体残留物，无论是较严重的还是较轻微的液体残留物，都可以被该方法检测到，因此可以防止残留物对后续离子注入的影响和晶圆的报废。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 残留物 检测 方法 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
一种光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；对所述晶圆进行缺陷检测。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610763158.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空调机组外壳
- 下一篇：外壳及具有其的空调室内机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
