[发明专利]一种LDMOS晶体管结构有效
| 申请号： | 201610765144.5 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785423B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王伟;江宇雷;陈玉华;魏琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种LDMOS晶体管结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内且分立设置的第一漂移区及第二漂移区；位于所述第一漂移区内的源极及位于所述第二漂移区内的漏极；位于所述半导体衬底上且两侧分别与所述第一漂移区、第二漂移区接触的栅极结构；位于所述第一漂移区中并将所述源极与所述栅极结构隔离的第一隔离结构；位于所述第二漂移区中并将所述漏极与所述栅极结构隔离的第二隔离结构；其中：所述第一隔离结构与第二隔离结构上均设有浮置场板。本发明在源‑栅、漏‑栅之间的隔离结构上设置了一个或多个浮置场板，可以增大耗尽区域面积并减少碰撞电离，从而获得更高的击穿电压及饱和漏电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 ldmos 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管结构，其特征在于，所述LDMOS晶体管结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内且分立设置的第一漂移区及第二漂移区；位于所述第一漂移区内的源极及位于所述第二漂移区内的漏极；位于所述半导体衬底上且两侧分别与所述第一漂移区、第二漂移区接触的栅极结构；位于所述第一漂移区中并将所述源极与所述栅极结构隔离的第一隔离结构；位于所述第二漂移区中并将所述漏极与所述栅极结构隔离的第二隔离结构；其中：所述第一隔离结构与第二隔离结构上均设有浮置场板。
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