[发明专利]高密度半导体结构

摘要

本发明公开一种高密度半导体结构，包括基板、位线以及第一存储单元组。位线设置于基板上且具有第一侧与第二侧，第二侧与第一侧相对。第一存储单元组包括第一晶体管、第一电容、第二晶体管及第二电容。第一晶体管设置于基板上且具有第一终端与第二终端，第一终端连接位线。第一电容连接第一晶体管的第二终端。第二晶体管设置于基板上且具有第三终端与第四终端，第三终端连接位线。第二电容连接第二晶体管的第四终端。第一电容与第二电容在垂直位线的延伸方向的方向上与位线分开，且第一电容与第二电容位于位线的第一侧。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：基板；位线，设置于该基板上且具有第一侧与第二侧，该第二侧与该第一侧相对；以及第一存储单元组，包括：第一晶体管，设置于该基板上且具有第一终端与第二终端，该第一终端连接该位线；第一电容，连接该第一晶体管的该第二终端；第二晶体管，设置于该基板上且具有第三终端与第四终端，该第三终端连接该位线；及第二电容，连接该第二晶体管的该第四终端；其中该第一电容与该第二电容在垂直于该位线的延伸方向的一方向上与该位线分开，且该第一电容与该第二电容位于该位线的该第一侧。