[发明专利]一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法在审
| 申请号： | 201610771451.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106853970A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈曙 | 申请（专利权）人： | 天津市科密欧化学试剂有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司12107 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法，具体步骤为(1)在合成二氧化硅生成沉淀前将氨水加入到反应体系中，其中，Na2SiO3与氨水的摩尔比为11‑1.2，静置，弃去清液；(2)二氧化硅再用氨水洗涤两次，其中，二氧化硅与氨水的摩尔比为11‑1.2；(3)二氧化硅再使用纯水洗涤，其中，每1kg二氧化硅的纯水使用量为20L/次，一天两次，洗涤2‑3天，即可得到去除氯离子的高纯度二氧化硅；所述方法操作方便，洗涤时间及次数较少50％以上，可以再较短时间和更少纯水用量的情况下，得到符合要求的二氧化硅成品，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 二氧化硅 去除 氯离子 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法，其特征在于：具体步骤为：(1)在合成二氧化硅生成沉淀前将氨水加入到反应体系中，其中，Na2SiO3与氨水的摩尔比为1：1‑1.2，静置，弃去清液；(2)二氧化硅再用氨水洗涤两次，其中，二氧化硅与氨水的摩尔比为1：1‑1.2；(3)二氧化硅再使用纯水洗涤，其中，每1kg二氧化硅的纯水使用量为20L/次，一天两次，洗涤2‑3天，即可去除氯离子，得到高纯度二氧化硅。
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