[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置

摘要

本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁控管和非闭合磁控管，闭合磁控管的内磁极和外磁极之间组成闭合的等离子体路径，非闭合磁控管的第一磁极和第二磁极之间组成非闭合的等离子体路径，闭合的等离子体路径和非闭合的等离子体路径用于至少对应覆盖靶材中心到靶材边缘的半径区域。该磁控元件能够实现靶材的全靶腐蚀，从而避免靶材的中心区域出现颗粒，提高靶材的利用率；还能提高溅射过程中金属靶材的离化率；同时提高了晶片上通孔的填充效果。

主权项

1.一种磁控元件，用于溅射靶材，其特征在于，包括闭合磁控管和非闭合磁控管，所述闭合磁控管的内磁极和外磁极之间组成闭合的等离子体路径，所述非闭合磁控管的第一磁极和第二磁极之间组成非闭合的等离子体路径，所述闭合的等离子体路径和所述非闭合的等离子体路径用于至少对应覆盖所述靶材中心到所述靶材边缘的半径区域；其中，所述闭合磁控管的外磁极为闭合环，且所述内磁极嵌套于所述外磁极内部；并且，所述闭合磁控管的所述外磁极和所述非闭合磁控管的所述第一磁极连接；或者，所述闭合磁控管的所述外磁极用作所述非闭合磁控管的所述第一磁极，所述外磁极和所述第二磁极之间组成所述非闭合的等离子体路径。