[发明专利]一种磁性隧道结的制备方法有效
| 申请号： | 201610779667.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785485B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 左正笏;喻涛;陈志刚;谷勋;刘瑞盛;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性隧道结的制备方法，在衬底上沉积了MTJ堆，随后制备MgO过渡层和硬掩膜层，随后图案化硬掩膜刻层停止在MgO过渡层上，进行氧注入过程，裸露的存储层经过氧化结晶过程后被转化为高电阻无磁性的高介电常数材料，用光刻方法去掉多余的部分，再进行回填和CMP平坦化处理，使得介电常数变小。本发明制成的MTJ芯片的处理速度比较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述磁性隧道结的制备方法包括：在衬底上沉积种子层、参比层、遂穿层、存储层、过渡层和硬掩膜层；光刻出掩膜形状，并刻蚀硬掩膜层；以刻蚀后的硬掩膜层为硬掩膜，进行氧注入；进行高温退火处理，并光刻去除多余的部分；回填介质材料，并进行CMP平坦化处理；在平坦化处理后的表面沉积顶电极，并光刻出顶电极图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司，未经中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610779667.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
