[发明专利]一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610783309.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106229382B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李述体;赵亮亮;王幸福 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法。本发明(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。本发明提供的技术方案改善了微纳米量级氮化镓紫外光探测器的光开关比和光增益。实验结果表明，本发明得到的硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的光开关比达到5.4×104，光增益和光敏度分别为8.8×105、2.3×105A/W。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氮化 纳米 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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