[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610783513.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785268B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;徐小平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供基底，所述基底中包括硅区和浅沟槽隔离结构；在所述硅区中形成定义源/漏区的凹槽；在所述凹槽中形成SiGe层；在所述SiGe层上形成第一覆盖层；回蚀刻所述浅沟槽隔离结构，以暴露所述SiGe层的侧壁；在所述SiGe层侧壁上形成第二覆盖层；在所述浅沟槽隔离结构及所述第一覆盖层和第二覆盖层上沉积氧化物层。根据本发明提出的半导体器件的制造方法，可在作为源/漏区的SiGe层顶部与侧壁上形成覆盖层，所述覆盖层可作为SiGe层与浅沟槽隔离结构之间的保护层，并可以避免后续工艺对SiGe层的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中包括硅区和浅沟槽隔离结构；在所述硅区中形成定义源/漏区的凹槽；在所述凹槽中形成SiGe层；在所述SiGe层上形成第一覆盖层；回蚀刻所述浅槽隔离结构，以暴露所述SiGe层的侧壁；在所述SiGe层侧壁上形成第二覆盖层；在所述浅沟槽隔离结构及所述第一覆盖层和第二覆盖层上沉积氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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