[发明专利]一种基于序列二次规划方法统一框架的哑元填充方法

摘要

本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及化学机械抛光工艺哑元填充方法。本发明方法为一种统一的、不进行模型近似的哑元填充方法，应用序列二次规划方法对哑元填充问题进行直接求解，可获得高质量的哑元填充结果。本发明在具体实现中提出了一种在确定哑元位置前估算交叠面积的方法，用于提高优化效率。本方法能够在可以承受的运行时间下，对复杂的哑元填充目标作优化，得到质量较高的哑元填充方案，且能良好地通过并行计算进行加速，应用于解决大规模版图哑元填充问题。

主权项

一种基于序列二次规划方法统一框架的哑元填充方法，其特征在于，该方法直接将序列二次规划方法应用到哑元填充，该方法为统一的、不进行模型近似的哑元填充方法以及在确定哑元位置前估算交叠面积的方法，该方法包括步骤：输入参数：1.待填充的版图文件，均匀网格边长a；2.最小的哑元宽度wm、最小的哑元面积am、最小的哑元与哑元，或哑元与互连线的间距sm；3.初始总填充量搜索步长d输出结果：哑元填充后的版图文件，其中包含所有哑元的大小和位置，并插入到原始版图文件中；步骤1：版图提取并建立以综合目标为优化目标的哑元填充问题；步骤2：确定用于序列二次规划的初始点；步骤3：应用SQP方法，对步骤2得到的初始点，进一步优化哑元填充的结果；步骤4：确定所有哑元的位置。