[发明专利]一种MOSFET器件氮化方法有效
申请号: | 201610786019.2 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN107785270B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 王弋宇;李诚瞻;吴佳;史晶晶;高云斌;陈喜明;赵艳黎;吴煜东;刘可安 | 申请(专利权)人: | 株洲中车时代半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/223 |
代理公司: | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人: | 刘烽;朱绘 |
地址: | 412001 湖南省株洲市石*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法,包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理,优选所述氮化处理在1200‑1500℃,优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法,通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化,简化了氮化钝化气体体系,避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低,避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险,简化了尾气处理系统。 | ||
搜索关键词: | 一种 mosfet 器件 氮化 方法 | ||
【主权项】:
一种MOSFET器件氮化方法,包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理,所述含氮气气体含氮气80‑100体积%,优选95‑100体积%;优选所述氮化处理在1200‑1500℃,优选1250‑1450℃的温度下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造