[发明专利]一种MOSFET器件氮化方法有效

专利信息
申请号: 201610786019.2 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN107785270B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 王弋宇;李诚瞻;吴佳;史晶晶;高云斌;陈喜明;赵艳黎;吴煜东;刘可安 申请(专利权)人: 株洲中车时代半导体有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/223
代理公司: 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 代理人: 刘烽;朱绘
地址: 412001 湖南省株洲市石*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供了一种MOSFET器件氮化方法,包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理,优选所述氮化处理在1200‑1500℃,优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法,通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化,简化了氮化钝化气体体系,避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低,避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险,简化了尾气处理系统。
搜索关键词: 一种 mosfet 器件 氮化 方法
【主权项】:
一种MOSFET器件氮化方法,包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理,所述含氮气气体含氮气80‑100体积%,优选95‑100体积%;优选所述氮化处理在1200‑1500℃,优选1250‑1450℃的温度下进行。
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