[发明专利]一种SOI硅衬底材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610786116.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785303A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李捷;高文琳 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI硅衬底材料的制备方法，属于SOI片的制备技术领域。所述衬底材料是指带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片，其制备为(1)提供高阻硅片；(2)在高阻硅片表面制备氧化硅层，所述氧化硅层厚度为；(3)在氧化硅层表面制备掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层，获得带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片。SOI衬底片中引用掺杂的多晶或者非晶硅层，可与氧化硅的有效结合能够有效抑制硅衬底的表面寄生电导，限制电容变化和减少产生的谐波的功率，从而使高阻SOI衬底电阻率的损失降至最低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 衬底 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：所述衬底材料是指带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片，其制备方法包括如下步骤：(1)提供高阻硅片，依次经过DHF、SC1和SC2清洗，去除表面的自然氧化层和污染物，获得高质量的硅片表面；(2)在高阻硅片表面制备氧化硅层，所述氧化硅层厚度为(3)在氧化硅层表面制备掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层，获得带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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