[发明专利]三重图形化的方法有效
申请号: | 201610787086.6 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN107785242B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 沈忆华;余云初 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种三重图形化的方法,包括:提供基底,基底表面形成有掩模层;提供目标图形,定义出基底上待图形化的区域,目标图形包括沿第一方向延伸的第一边界和第二边界、以及沿第二方向延伸的第三边界和第四边界;对掩模层进行第一图形化处理,去除第一部分掩模层,第一部分掩模层与第一边界间隔第一预设距离;对掩模层进行第二图形化处理,去除第二部分掩模层,第二部分掩模层与第二边界间隔第二预设距离;对掩模层进行第三图形化处理,去除第三部分掩模层,第三部分掩模层位于目标图形之外且与第三边界和第四边界相邻;以剩余的掩模层为掩模刻蚀基底,形成图形化区域。本发明实施例的三重图形化方法增大基底上的图形密度、减小图形间距。 | ||
搜索关键词: | 三重 图形 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三重图形化的方法,其特征在于,包括:/n提供基底,所述基底表面形成有掩模层;/n提供目标图形,所述目标图形用于定义所述基底上待图形化的区域,所述目标图形包括:沿第一方向延伸的第一边界和第二边界、以及沿第二方向延伸的第三边界和第四边界,其中所述第一方向垂直于所述第二方向;/n对所述掩模层进行第一图形化处理,去除第一部分掩模层,所述第一部分掩模层位于所述目标图形之外所述第一边界的一侧,且与所述第一边界间隔第一预设距离;对所述掩模层进行第二图形化处理,去除第二部分掩模层,所述第二部分掩模层位于所述目标图形之外所述第二边界的一侧,且与所述第二边界间隔第二预设距离,以对所述目标图形沿第一方向的两个边界分别由所述第一图形化处理和第二图形化处理两个步骤来定义;/n对所述掩模层进行第三图形化处理,去除第三部分掩模层,所述第三部分掩模层位于所述目标图形之外且与所述第三边界和第四边界相邻;/n以去除所述第一部分掩模层、第二部分掩模层和第三部分掩模层后剩余的掩模层为掩模刻蚀所述基底,在所述基底内形成与所述目标图形对应的图形化的区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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