[发明专利]存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法

摘要

一种存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法，存储器阵列包括多个存储列，每一存储列包括多个闪存单元；多个存储列划分成至少两个块，相邻块之间至少设置一源下拉列；源下拉列包括多个闪存单元；源下拉列中每一闪存单元的选择栅和多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一字线；源下拉列中每一闪存单元的控制栅和多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一控制栅线；源下拉列中每一闪存单元的擦除栅和多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一擦除栅线；源下拉列中每一闪存单元的源极耦接至多个存储列中与其处于同一行的闪存单元的源极；源下拉列中的每一闪存单元的漏极接收下拉控制信号。本发明可提高存储器阵列的读性能。

主权项

一种存储器阵列，包括多个存储列，每一个所述存储列包括多个闪存单元；其特征在于，所述多个存储列划分成至少两个块，相邻的两个所述块之间至少设置有一个源下拉列；其中，所述源下拉列包括多个闪存单元；所述源下拉列中的每一个闪存单元的选择栅和所述多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一字线；所述源下拉列中的每一个闪存单元的控制栅和所述多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一控制栅线；所述源下拉列中的每一个闪存单元的擦除栅和所述多个存储列中与其处于同一行的闪存单元耦接至同一擦除栅线；所述源下拉列中的每一个闪存单元的源极耦接至所述多个存储列中与其处于同一行的闪存单元的源极；所述源下拉列中的每一个闪存单元的漏极接收下拉控制信号。