[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610792048.X | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106601710B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 椎木崇;山田昭治;原田祐一;星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在高温条件下也有高可靠性的半导体装置及其制造方法。在与主半导体元件(10)同一碳化硅基体(100)配置过电压保护部、电流感测部和温度感测部等保护控制电路。主半导体元件(10)的栅极焊盘(19)、构成保护控制电路的多个半导体元件的各电极焊盘(32、48、54、55)在活性区域(101)中央部以直线状配置1列。主半导体元件(10)的源极焊盘(12)以夹着源极焊盘(12)以外的电极焊盘(19、32、48、54、55)的方式配置多个。主半导体元件(10)的源极焊盘(12)和栅极焊盘(19)、构成保护控制电路的多个半导体元件的各电极焊盘(32，48，54，55)隔着全部镀膜和焊接膜配置端子销。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：多个半导体元件，所述多个半导体元件被配置在同一半导体基板，该半导体基板包括带隙比硅宽的半导体；以及多个电极焊盘，所述多个电极焊盘以规定的平面布局被配置在所述半导体基板的正面，并且分别与所述多个半导体元件电连接，将使所述电极焊盘的电位引出到外部的端子销分别隔着镀膜而焊料接合到全部的所述电极焊盘上。
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