[发明专利]一种减小电源网络电阻影响的DDR2 DRAM ODT结构

摘要

本发明提出一种减小电源网络电阻影响的DDR2 DRAM ODT结构，克服现有技术在不同电阻模式下存在电阻偏差的问题。该DDR2 DRAM ODT结构中设置有电压比较模块和信号转换电路，电压比较模块取得电源网络上的电阻Rvddq的分压，通过信号转换电路使得所述分压转换为与其他阻值的电阻模块中固定电阻R0单独并联的补偿电阻，所述补偿电阻的阻值随着所述分压的增大而减小。本发明利用电源网络上的电阻Rvddq上的分压对其他电阻模式的电阻进行反馈调节，使得其他模式对应的电阻模块的电阻随Rvddq增加而减小，从而消除在不同电阻模式下因Rvddq带来的差异。

主权项

1.一种减小电源网络电阻影响的DDR2 DRAM ODT结构，包括电阻配置模块、电阻调节模块和不同阻值的并联的若干个电阻模块，每一电阻模块均由等值的固定电阻R0和不同阻值的可调电阻Rx串联构成；所述电阻配置模块通过对电阻模块的组合选通实现不同的电阻模式，所述电阻调节模块基于最大电阻模式调节电源网络上的电阻Rvddq，即选通所述若干个电阻模块中最大阻值的电阻模块R_max，调节电阻Rvddq使得最大电阻模式的标准阻值＝Rvddq+R_max；其特征在于：该DDR2 DRAM ODT结构还包括电压比较模块和信号转换电路，电压比较模块取得电源网络上的电阻Rvddq的分压，通过信号转换电路使得所述分压转换为与其他阻值的电阻模块中固定电阻R0单独并联的补偿电阻，所述补偿电阻的阻值随着所述分压的增大而减小。