[发明专利]一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610792641.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107794497B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射制备A相或B相二氧化钒薄膜的方法，以A相二氧化钒陶瓷靶或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相或B相二氧化钒薄膜，其中沉积温度为350～500℃、沉积全压为0.5～5.0Pa。本发明直接以A相或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，通过控制沉积温度、沉积全压等直接制备得到A相或B相二氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射制备A相或B相二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，以A相二氧化钒陶瓷靶或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体对所述靶材进行溅射以在衬底上无需退火处理便形成A相或B相二氧化钒薄膜，其中控制背底真空为5～10×10
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