[发明专利]集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法，所述器件的JFET区包括：JFET源极，为第一导电类型；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上与所述JFET源极接触；复合阱区结构，为第二导电类型且设于第一导电类型区内，包括第一阱和位于第一阱内的第二阱，第二阱的离子浓度大于第一阱的离子浓度，复合阱区结构在JFET源极的两侧各形成有一个，且JFET源极横向延伸进入第一阱和第二阱内；JFET金属栅极，设于JFET源极两侧的复合阱区结构上。本发明利用第一阱和第二阱组成的复合阱区形成复合沟道，增强了沟道耗尽能力，加强了夹断电压稳定性。同时可以通过调节复合沟道的距离，精确调节夹断电压大小，满足不同的电路应用场合。

主权项

一种集成有结型场效应晶体管的器件，所述器件包括JFET区和功率器件区，设于所述器件背面的第一导电类型的漏极，和设于所述漏极朝向所述器件正面的面上的第一导电类型区，所述JFET区和功率器件区共享所述漏极和第一导电类型区；其特征在于，所述JFET区还包括：JFET源极，为第一导电类型；JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上与所述JFET源极接触；复合阱区结构，为第二导电类型且设于所述第一导电类型区内，包括第一阱和位于所述第一阱内的第二阱，所述第二阱的离子浓度大于所述第一阱的离子浓度，所述复合阱区结构在所述JFET源极的两侧各形成有一个，且所述JFET源极横向延伸进入所述第一阱和第二阱内；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；JFET金属栅极，设于所述JFET源极两侧的所述复合阱区结构上。