[发明专利]具有分离式平面场板结构的半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610798345.5 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN107785428A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 罗泽煌 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 董巍,汪洋
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种具有分离式平面场板结构的半导体器件及其制造方法,所述方法包括步骤一、提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成源极、漏极和栅极,在所述栅极和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漂移区,步骤二、形成第一介质层,以覆盖所述半导体衬底的表面以及源极、漏极和栅极,步骤三、在所述第一介质层上形成第一场板层,且所述第一场板层至少部分位于所述漂移区的上方并靠近所述栅极一侧。根据本发明的制造方法,交替的执行介质层沉积和形成场板层的步骤,以形成包括一层、两层或多层场板层的分离式平面场板结构,实现工艺平台间兼容性的优点,形成的分离式平面场板结构缩短了漂移区电流路径,改善了器件的性能。
搜索关键词: 具有 分离 平面 板结 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:步骤一、提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成源极、漏极和栅极,在所述栅极和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漂移区,步骤二、形成第一介质层,以覆盖所述半导体衬底的表面以及源极、漏极和栅极,步骤三、在所述第一介质层上形成第一场板层,且所述第一场板层至少部分位于所述漂移区的上方并靠近所述栅极一侧。
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