[发明专利]选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法在审
| 申请号： | 201610801007.2 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107790194A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;马丽;甄超;杨勇强;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B01J37/10 | 分类号： | B01J37/10;B01J37/03;B01J23/14;B01J23/02;B01J23/843 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光催化领域，具体为一种选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法。利用半导体铁电材料(钛酸钡、钛酸铅、铁酸铋等)中的铁电场诱导表面带电属性的差异，导致带负电性的酸根离子优先选择性地吸附在带正电荷表面，实现对铁电材料表面选择性刻蚀定向构筑异质结构光催化剂。将半导体铁电材料放入含有刻蚀性酸的水溶液中，通过水热处理过程实现铁电材料表面的选择性刻蚀，在铁电基体材料表面定向构筑异质结构，调节酸的种类、浓度以及水热处理温度获得最优光催化性能。异质结构的定向构筑有利于光生载流子的定向分离，可有效提高异质结构的光催化活性，是光催化领域的重点研究方向。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 刻蚀 铁电基 光催化 材料 定向 构筑 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性刻蚀铁电基光催化材料以定向构筑异质结构的方法，其特征在于：利用半导体铁电材料中的铁电场诱导表面带电属性的差异，导致带负电性的酸根离子优先选择性地吸附在带正电荷表面的特点，将半导体铁电材料放入含有刻蚀性酸的水溶液中，通过水热处理过程实现对铁电材料表面的选择性刻蚀，在铁电基体材料表面定向构筑异质结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610801007.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生产乙炔法醋酸乙烯酯的催化剂
- 下一篇：一种铁基费托催化剂的还原方法
