[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供具有NFET区和PFET区的半导体衬底，在其上形成有栅极结构；在半导体衬底上形成掩膜层，覆盖栅极结构；图案化掩膜层，以在PFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；在露出的PFET区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，并在嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；在半导体衬底上依次形成侧墙材料层和牺牲材料层；回蚀刻牺牲材料层和侧墙材料层，直至去除位于栅极结构顶部的侧墙材料层；依次去除牺牲材料层和掩膜侧墙。根据本发明，在去除掩膜层的过程中，帽层受到侧墙材料层的保护，避免后续形成的金属硅化物嵌入到锗硅层里形成非稳定态的金属锗硅化物,防止金属硅化物沿沟道发生侵蚀。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供具有NFET区和PFET区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成掩膜层，覆盖所述栅极结构；图案化所述掩膜层，以在所述PFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；在露出的PFET区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，并在所述嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；在所述半导体衬底上依次形成侧墙材料层和牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层和所述侧墙材料层，直至去除位于所述栅极结构顶部的侧墙材料层；依次去除所述牺牲材料层和所述掩膜侧墙。