[发明专利]集成电路及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610801653.9 申请日: 2016-09-05
公开(公告)号: CN107482034B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 龙翔澜 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种集成电路及其制造方法。该集成电路包括位于位线导体层中的多条位线以及字线导体层中的多条字线之间的中间层。此中间层包括穿过层间绝缘结构的多个存储器柱。各存储器柱包括存储单元及存取单元。在存储单元的阶层中的层间绝缘结构,相比于在存取单元的阶层中的层间绝缘结构,具有较高的热电阻。
搜索关键词: 集成电路 及其 制造 方法
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于,包括:多个位线,设置于一位线导体层中,以及多个字线,设置于一字线导体层中;以及一中间层,位于该位线导体层及该字线导体层之间;该中间层包括一层间绝缘结构,以及多个存储器柱穿过该层间绝缘结构,该些存储器柱中的各该存储器柱具有一第一端接触该些位线中的一位线,以及一第二端接触该些字线中的一字线,各该存储器柱包括一存取单元以及一存储单元,排列于该层间绝缘结构之中;且在该存储单元的阶层中的该层间绝缘结构相比于在该存取单元的阶层中的该层间绝缘结构具有较高的热电阻。
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