[发明专利]集成电路及其制造方法有效
申请号: | 201610801653.9 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN107482034B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路及其制造方法。该集成电路包括位于位线导体层中的多条位线以及字线导体层中的多条字线之间的中间层。此中间层包括穿过层间绝缘结构的多个存储器柱。各存储器柱包括存储单元及存取单元。在存储单元的阶层中的层间绝缘结构,相比于在存取单元的阶层中的层间绝缘结构,具有较高的热电阻。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于,包括:多个位线,设置于一位线导体层中,以及多个字线,设置于一字线导体层中;以及一中间层,位于该位线导体层及该字线导体层之间;该中间层包括一层间绝缘结构,以及多个存储器柱穿过该层间绝缘结构,该些存储器柱中的各该存储器柱具有一第一端接触该些位线中的一位线,以及一第二端接触该些字线中的一字线,各该存储器柱包括一存取单元以及一存储单元,排列于该层间绝缘结构之中;且在该存储单元的阶层中的该层间绝缘结构相比于在该存取单元的阶层中的该层间绝缘结构具有较高的热电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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