[发明专利]P‑N双模式传导减小表面电场（RESURF）的LDMOS在审
| 申请号： | 201610802683.1 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106549062A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | Y·张;S·P·彭德哈卡;H·L·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵志刚,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开一种P‑N双模式传导减小表面电场(RESURF)的LDMOS。本申请公开一种基于RESURF双栅极p‑n双模式传导横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。在一个例示实施方式中，p型源极被电耦合至n型漏极。P型漏极被电耦合至n型源极。n型层作为在n型漏极和n型源极之间的n型传导沟道。p型顶部层被设置在所述半导体装置的基板的表面处，并且被设置在n型层之上并且与n型层相邻。所述p型顶部层作为在所述p型源极和所述p型漏极之间的p型传导沟道。n栅极控制在n型传导沟道中的电流流动，并且p栅极控制在p型传导沟道中的电流流动。 | ||
| 搜索关键词： | 双模 传导 减小 表面 电场 resurf ldmos | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化半导体装置即LDMOS装置，所述装置包括：n型漏极；n型源极；p型源极，其被电耦合至所述n型漏极；p型漏极，其被电耦合至所述n型源极；n型层，其可操作用于作为在所述n型漏极和所述n型源极之间的n型传导沟道；p型顶部层，其被设置在所述半导体装置的基板的表面上，并且被设置在所述n型层上并与所述n型层相邻，所述p型顶部层可操作用于作为在所述p型源极和所述p型漏极之间的p型传导沟道；n栅极，其可操作用于控制在所述n型传导沟道中的电流流动；以及p栅极，其可操作用于控制在所述p型传导沟道中的电流流动。
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