[发明专利]应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610804903.4 申请日: 2016-09-06
公开(公告)号: CN107799324B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 徐景坤;刘宏涛;卢宝阳;周卫强;马秀梅;陈帅 申请(专利权)人: 江西科技师范大学
主分类号: H01G11/48 分类号: H01G11/48;H01G11/86
代理公司: 北京恩赫律师事务所 11469 代理人: 赵文成
地址: 330013 江西省南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极及其制备方法,属于电极材料领域。本发明所述的聚硒吩衍生物薄膜电极由单体合成,所述单体为单体1a‑e、单体2a‑c、单体3a‑c、单体4a‑f中任意一种;本发明还提供一种应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法,用中性有机溶剂配制所述单体溶液,再向其中加入支持电解质,配成支持电解质摩尔溶度为0.1‑1mol/L的电化学溶液;通过恒电位法或连续循环伏安法在基质材料上得到聚硒吩衍生物层。本发明的超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极,采用聚硒吩衍生物薄膜作为超级电容器电极,具有较高的比电容值和比能量值及良好的充放电稳定性。
搜索关键词: 应用于 超级 电容器 聚硒吩 衍生物 薄膜 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种应用于超级电容器的聚硒吩衍生物薄膜电极,其特征在于,由基质材料和位于所述基质材料上方的聚硒吩衍生物薄膜组成;所述基质材料为铂、金、不锈钢和ITO导电玻璃中任意一种;所述聚硒吩衍生物薄膜为单体2a‑c、单体4a‑f中任意一种合成,所述单体2a‑c、单体4a‑f的结构式分别如下:所述单体2a‑c中的X为硫,R为甲基;所述单体4a‑f中的R分别为苯甲基和二苯并甲基;所述聚硒吩衍生物薄膜电极的制备方法包括以下步骤:步骤1:用中性有机溶剂配置摩尔浓度为0.001‑0.1mol/L的单体溶液,再向单体溶液中加入支持电解质,配成支持电解质摩尔溶度为0.1‑1mol/L的电化学溶液;步骤2:将基质材料和步骤1得到的电化学溶液置入包括工作电极、对电极和参比电极的电化学反应装置中,向溶液中通入氮气10‑30分钟,通过恒电位法或连续循环伏安法在基质材料上得到聚硒吩衍生物层。
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