[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板包括：基底，包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域并且包括肖特基二极管，其中，所述肖特基二极管包括：阳极层和阴极层，形成基底上；栅极绝缘层，形成在基底上并且覆盖阳极层和阴极层；第一栅电极，形成在栅极绝缘层上并且与阳极层和阴极层叠置；层间绝缘层，形成在栅极绝缘层上并且覆盖第一栅电极，并且包括用于暴露阳极层和阴极层的接触孔；第一外接电压和第二外接电压，形成在层间绝缘层上，并且分别通过接触孔连接到阳极层和阴极层。本发明的肖特基二极管与薄膜晶体管一同形成在基底上，因此，不需要额外增加工序，从而简化了制造工艺。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：/n基底，包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域并且包括肖特基二极管，/n其中，所述肖特基二极管包括：/n阳极层和阴极层，形成基底上；/n栅极绝缘层，形成在基底上并且覆盖阳极层和阴极层；/n第一栅电极，形成在栅极绝缘层上并且与阳极层和阴极层叠置；/n层间绝缘层，形成在栅极绝缘层上并且覆盖第一栅电极，并且包括用于暴露阳极层和阴极层的接触孔；/n第一外接电压和第二外接电压，形成在层间绝缘层上，并且分别通过接触孔连接到阳极层和阴极层；/n所述显示区域包括薄膜晶体管，/n其中，所述薄膜晶体管包括：/n有源层，形成在基底上；/n第二栅电极，与有源层绝缘；/n源电极和漏电极，电连接到有源层；/n阳极层和阴极层与所述有源层设置在同一层上。/n