[发明专利]二氧化硅颗粒及其生产方法有效
| 申请号： | 201610808236.7 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107149930B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吉川英昭;广濑英一;奥野广良;岩永猛;鹿岛保伸;山田涉;竹内荣;杉立淳 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | B01J21/08 | 分类号： | B01J21/08;B01J35/02 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 庞东成;龚泽亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及二氧化硅颗粒及其生产方法。所述二氧化硅颗粒包含二氧化硅颗粒本体以及通过钛化合物的反应形成在所述二氧化硅颗粒本体表面上的二氧化钛涂层，所述钛化合物具有烃基经氧原子与钛原子结合的结构。在紫外可见吸收光谱中所述二氧化硅颗粒在约400nm以上且约800nm以下的波长处具有吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 颗粒 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化硅颗粒，其包含：/n二氧化硅颗粒本体；和/n通过钛化合物的反应形成在所述二氧化硅颗粒本体的表面上的二氧化钛涂层，所述钛化合物具有烃基经氧原子与钛原子结合的结构，/n其中，在紫外可见吸收光谱中，当所述二氧化硅颗粒在350nm波长处的吸光度被假定为1时，所述二氧化硅颗粒具有在450nm波长处为0.02以上的吸光度和在750nm波长处为0.02以上的吸光度，并且/n其中，反应的所述钛化合物中的烃基在一定程度上分离并带到所述二氧化硅颗粒本体的表面上，一部分分离的烃基碳化，并且该烃基作为碳引入所述二氧化硅颗粒本体的表面和所述二氧化钛涂层。/n
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