[发明专利]镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg-Sn类水滑石复合膜及其制备方法

摘要

本发明公开一种镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg‑Sn类水滑石复合膜及其制备方法，涉及镁及镁合金表面技术领域，其目的是提高镁及镁合金的耐蚀性，拓宽生物医用等领域的应用前景。制备方法包括以下步骤：S1、对镁及镁合金进行预处理；S2、前处理，配制Sn4+盐溶液，调节pH至4.0，制得前处理溶液，将镁及镁合金置于持续通入CO2的前处理溶液，获得前驱体膜；S3、后处理，将覆有前驱体膜的镁及镁合金浸泡在Na2CO3溶液中，镁及镁合金表面生长Mg(OH)2/Mg‑Sn类水滑石复合膜；S4、后续清洗。本发明采用两步法在镁及镁合金表面原位生成不含铝、具有生物安全性的Mg(OH)2/Mg‑Sn类水滑石复合膜，提高镁及镁合金的耐蚀性，拓宽类水滑石膜在生物镁合金表面防护的应用。

主权项

1.一种镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg‑Sn类水滑石复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、镁及镁合金预处理：对镁及镁合金先后进行机械打磨、酒精超声清洗、超声去离子水清洗；S2、对镁及镁合金样品进行前处理：首先配制0.01～0.04mol/L的Sn4+锡离子盐溶液，并调节pH至3.8～5.0，制得前处理溶液，将经过预处理的镁及镁合金置于持续通入CO2的前处理溶液中0.5～3h，前处理温度为20～50℃，获得覆有前驱体膜的镁及镁合金；S3、对覆有前驱体膜的镁及镁合金进行后处理：将步骤S2制得的样品置于50～80℃的含有CO32‑、pH为8.5～13的后处理溶液中浸泡12～48h，从而镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg‑Sn类水滑石复合膜；S4、后续清洗：采用去离子水超声清洗步骤S3处理的样品，再将样品冷风吹干或自然风干。