[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201610811120.9 申请日: 2016-09-08
公开(公告)号: CN107170732A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 松山宏 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/64
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据一个实施方式,半导体装置具有基板、第1导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2导电层、以及第3导电层。第1导电层具有第1导电部与第2导电部。第1半导体芯片具有第1电极、第2电极、以及第3电极。第1电极与第1导电部连接。第2半导体芯片具有第4电极与第5电极。第4电极与第2导电部连接。第2导电层具有第1连接部与第2连接部。第1连接部与第2电极连接。第2连接部与第5电极连接。第2导电层在第1连接部与第2连接部之间具有间隙。第3导电层与第3电极连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具备:基板;第1导电层,具有第1导电部、以及在第1方向上与上述第1导电部分离的第2导电部,该第1导电层设置在上述基板上;第1半导体芯片,设置在上述第1导电部上,具有第1电极、第2电极、以及第3电极,上述第1电极与上述第1导电部连接;第2半导体芯片,设置在上述第2导电部上,具有第4电极和第5电极,上述第4电极与上述第2导电部连接;第2导电层,具有与上述第2电极连接的第1连接部、以及与上述第5电极连接的第2连接部,该第2导电层在上述基板上与上述第1导电层分离地设置,在上述第1方向上位于上述第1导电部与上述第2导电部之间,上述第2导电层在上述第1连接部与上述第2连接部之间具有间隙;以及第3导电层,在上述基板上与上述第1导电层以及上述第2导电层分离地设置,并与上述第3电极连接。
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