[发明专利]作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离有效
| 申请号： | 201610815080.5 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106935648B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈奕寰;范富杰;郑光茗;霍克孝;陈奕升;刘思贤;林国树;叶力瑄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离。具体的，本发明揭示一种方法，其包含：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；蚀刻所述隔离区的顶部部分，以在所述隔离区中形成凹陷部；和形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠。在所述栅极堆叠的相对侧上形成源极区和漏极区。所述栅极堆叠、所述源极区和所述漏极区为金属氧化物半导体装置MOS的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 高压 装置 栅极 电介质 凹陷 沟槽 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法，其包括：/n形成延伸到半导体衬底中的隔离区；/n蚀刻所述隔离区的顶部部分以在所述隔离区中形成凹陷部；/n形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠，其中形成所述栅极堆叠包括形成栅极电介质和栅极电极，所述栅极电介质的一部分和所述栅极电极的一部分均在所述凹陷部中，以及位于所述凹陷部中的所述栅极电介质的所述部分与所述半导体衬底间隔开；/n当所述栅极堆叠形成时，同时形成额外栅极堆叠，其中所述额外栅极堆叠正好在所述半导体衬底的未凹陷部分上方；/n执行平坦化以使所述栅极堆叠的顶部表面与所述额外栅极堆叠齐平；和/n在所述栅极堆叠的相对侧上形成源极区和漏极区，其中所述栅极堆叠、所述源极区和所述漏极区为金属氧化物半导体MOS装置的部分，所述额外栅极堆叠是额外MOS装置的一部分。/n
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