[发明专利]封装基板的加工方法有效
申请号: | 201610816510.5 | 申请日: | 2016-09-12 |
公开(公告)号: | CN107017159B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 吉田侑太 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L33/00;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供封装基板的加工方法。封装基板(11)具有:陶瓷基板(13);多个器件芯片(17),它们配置在陶瓷基板的一个面上;以及覆盖层(19),其由树脂制成并将陶瓷基板的一个面的整体覆盖,封装基板的加工方法包含如下工序:第1激光加工槽形成工序,从封装基板的覆盖层侧照射对于覆盖层具有吸收性的波长的激光光线(L1),从而在覆盖层中形成沿着设定于封装基板的分割预定线(15)的第1激光加工槽(23);以及第2激光加工槽形成工序,在第1激光加工槽形成工序之后,从封装基板的陶瓷基板侧照射对于陶瓷基板具有吸收性的波长的激光光线(L2),从而在陶瓷基板中形成沿着分割预定线的第2激光加工槽(25)。 | ||
搜索关键词: | 封装 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种封装基板的加工方法,对封装基板进行加工,该封装基板具有:陶瓷基板;多个器件芯片,它们配置在该陶瓷基板的一个面上;以及覆盖层,其由树脂制成,并将该陶瓷基板的该一个面的整体覆盖,该封装基板的加工方法的特征在于,具有如下的工序:第1激光加工槽形成工序,从该封装基板的该覆盖层侧照射对于该覆盖层具有吸收性的波长的激光光线,从而在该覆盖层中形成沿着设定于该封装基板的分割预定线的第1激光加工槽;以及第2激光加工槽形成工序,在该第1激光加工槽形成工序之后,从该封装基板的该陶瓷基板侧照射对于该陶瓷基板具有吸收性的波长的激光光线,从而在该陶瓷基板中形成沿着该分割预定线的第2激光加工槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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