[发明专利]钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610817064.X | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449158B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘金平;赵登峰;解超越 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28;H01G11/86 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇;徐晓琴 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于无机材料制备和电化学应用领域，具体涉及一种钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法。所述电极由钛金属基底和钛金属基底上生长的镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列构成，所述镍锰复合氧化物纳米菱柱垂直、均匀、密集地分布在钛金属基底表面，呈现阵列形式；单根镍锰复合氧化物纳米菱柱的直径为200～500nm。本发明所述钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极，在三电极体系中，其工作电压区间可以达到0～1.4V，且没有明显的水电解发生，是罕见的具有宽工作电压区间的材料，可用作超级电容器的正极材料并展现出良好的电化学性能，具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 镍锰复合氧化物 菱柱 阵列电极 钛金属 钛基 制备 基底 工作电压区间 超级电容器 电化学性能 电化学应用 宽工作电压 三电极体系 基底表面 无机材料 阵列形式 正极材料 水电解 电极 单根 可用 垂直 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极，其特征在于，所述电极由钛金属基底和钛金属基底上生长的镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列构成，所述镍锰复合氧化物纳米菱柱垂直、均匀、密集地分布在钛金属基底表面，呈现阵列形式；所述镍锰复合氧化物为含碳的镍锰复合氧化物，分子式为Ni0.25Mn0.75O@C，镍锰原子含量比为1:3。
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