[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610817215.1 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107068553B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 林加明;林玮耿;张简旭珂;林俊泽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构及其形成方法。该方法包括以下步骤：在衬底中和有源区之间形成沟槽；用隔离层填充沟槽；用元素掺杂隔离层以形成掺杂的隔离区；退火掺杂的隔离区；以及平坦化退火的和掺杂的隔离区并且测量它的平坦化深度。停止层、介电层和有源区的热膨胀系数(CTE)是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n衬底，包括具有第一热膨胀系数(CTE)的有源区；/n沟槽，位于所述有源区之间；/n介电层，位于所述沟槽中并且具有第二热膨胀系数；以及/n停止层，与所述介电层相邻并且具有第三热膨胀系数，/n其中所述第一热膨胀系数、第二热膨胀系数、和第三热膨胀系数是不同的，并且所述停止层在所述有源区上施加的应力在从0.15GPa至-0.2GPa的范围，其中正值代表拉伸应力，而负值代表压缩应力。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610817215.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：离子注入装置
- 下一篇：半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
