[发明专利]一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置在审
| 申请号： | 201610822043.7 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106222739A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈成敏;侯延进;刘光霞;王立秋;许敏 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉包括中频电源、接触电极、加热线圈、保温层和石墨坩埚，所述保温层设置有倒置漏斗形的温度监测孔，温度监测孔的上部和下部为圆柱状，上部的圆柱通过圆锥面与下部的圆柱相连接，下部的圆柱的直径大于上部的圆柱的直径。另外，保温层外侧还设置有阻磁装置。本发明由于温度监测孔的特殊形状，降低了晶体的径向温度梯度，进而减小生长过程中的热应力，同时增加了轴向温度梯度，在一定程度上提高晶体生长速度，并且还避免了轴向温度梯度的不均匀性；并且本发明增加了硅钢片阻磁装置，减小了加热功率，保障了操作人员的安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 物理 相传 晶体生长 炉温 分布 装置 | ||
【主权项】：
一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置，其特征在于，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉包括中频电源、接触电极、加热线圈、保温层和石墨坩埚；所述保温层设置有倒置漏斗形的温度监测孔。
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