[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，栅极结构的深沟槽中形成有未完全填充深沟槽的底部介质层和多晶硅间隔离介质层；由多晶硅间隔离介质层所围区域组成源沟槽；位于深沟槽顶部的底部介质层被自对准刻蚀掉的区域形成栅沟槽；在栅沟槽所对应的深沟槽的顶部的侧面形成有栅介质层；在栅沟槽中形成有多晶硅栅，在源沟槽中形成有源多晶硅，多晶硅栅和源多晶硅的多晶硅同时形成。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法。本发明能在降低器件的阈值电压的同时降低器件的栅源漏电；能大幅度简化工艺流程从而降低工艺成本；能提高频率特性并具有较大的工作电流密度。

主权项

1.一种屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，栅极结构包括：形成于半导体衬底中的深沟槽，在所述深沟槽的底部表面和侧面形成依次形成有底部介质层和多晶硅间隔离介质层；所述底部介质层和所述多晶硅间隔离介质层未将所述深沟槽完全填充，由所述多晶硅间隔离介质层所围区域组成源沟槽；位于所述深沟槽顶部的所述底部介质层被自对准刻蚀掉并在所述深沟槽的顶部的侧面和所述多晶硅间隔离介质层之间形成栅沟槽；所述多晶硅间隔离介质层和所述底部介质层的组成材料不同，在所述底部介质层的自对准刻蚀过程中以所述多晶硅间隔离介质层为掩模；在所述栅沟槽所对应的所述深沟槽的顶部的侧面形成有栅介质层；在所述栅沟槽中形成有多晶硅栅，在所述源沟槽中形成有源多晶硅，所述多晶硅栅和所述源多晶硅采用相同的多晶硅淀积和回刻工艺同时形成，所述多晶硅栅和所述源多晶硅之间通过所述多晶硅间隔离介质层隔离。