[发明专利]分割晶圆的方法在审
| 申请号： | 201610823365.3 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107546175A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄韦翔;曾仲铨;刘家玮;褚立新 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种分割晶圆的方法，包含定义围绕一组晶粒的切割道。此方法还包含蚀刻多个沟渠至此组晶粒中，其中每一个沟渠是位于此组晶粒中的相邻晶粒之间，且每一个沟渠的宽度是小于切割道的宽度。此方法还包含薄化晶圆，以暴露出这些沟渠的底表面。此方法还包含沿着切割道切割，以将此组晶粒与晶圆的又一部分分开。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 方法 | ||
【主权项】：
一种分割晶圆的方法，其特征在于，该分割晶圆的方法包含：定义围绕一组晶粒的一切割道；蚀刻多个沟渠至该晶圆中，其中每一所述沟渠是连接至该切割道，每一所述沟渠是位于该组晶粒中的相邻晶粒之间，每一所述沟渠的一宽度是小于该切割道的一宽度，且每一所述沟渠的一深度是小于该晶圆的一厚度；薄化该晶圆，以暴露出所述多个沟渠的一底表面；以及沿着该切割道切割，以将该组晶粒与该晶圆的又一部分分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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