[发明专利]一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法在审
| 申请号： | 201610824474.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106649920A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王泉;刘太彬;刘锦辉;李静月;刘刚 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法，所述基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法是对原始电子器件分别采用不同目标累积剂量进行辐照；对经过辐照后的原始电子器件进行数据测量和模型提取，构建全部目标累计剂量下电子器件的IBIS模型数据库；在给定辐照总剂量D的情况下，根据D对构建好的器件模型数据库进行插值操作，获得该辐照剂量下的VI和VT等插值数据，并根据插值数据构建IBIS模型，即该辐照剂量下器件的IBIS辐照总剂量效应模型。本发明在原始的PCB信号完整性分析的基础上考虑了辐照条件对PCB信号完整性的影响，为在辐照条件下进行PCB的信号完整性问题的仿真分析提供模型支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ibis 集成电路 剂量 效应 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法，其特征在于，所述基于IBIS的集成电路总剂量效应建模方法是对原始电子器件分别采用不同的目标累积剂量进行辐照，得到不同辐照剂量下器件的受损情况；对经过辐照后的器件进行数据测量，根据测量数据对经过辐照后的原始电子器件分别进行模型提取，构建全部目标累计剂量下电子器件的IBIS模型数据库；在给定辐照总剂量D的情况下，根据D对构建好的器件模型数据库进行插值操作，获得该辐照剂量下的VI和VT插值数据，并根据插值数据构建IBIS模型，即该辐照剂量下器件的IBIS总剂量效应模型。
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