[发明专利]电子组件的系统级封装有效
申请号: | 201610826441.6 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN107342270B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 胡迪群 | 申请(专利权)人: | 胡迪群 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鹰 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子组件的系统级封装,芯片以封装胶体包裹,第一电路重新分配层直接制作于封装胶体的底侧;第二电路重新分配层直接制作于第一电路重新分配层的底侧;第一电路重新分配层以第一组倒T型金属,电性耦合至芯片的底侧金属;第二电路重新分配层以第二组倒T型金属,电性耦合至第一电路重新分配层的底侧金属。本发明整个封装内部不使用焊锡球于的电性组件之间,也不使用中介层(interposer)于芯片和封装基材之间,不使用独立的系统板(system board),不使用独立的封装基材(discrete package substrate),也不使用独立的底部填充材料(underfill)。 | ||
搜索关键词: | 电子 组件 系统 封装 | ||
【主权项】:
一种电子组件的系统级封装,其特征是,包括至少一个芯片、封装胶体、第一重新分配电路和第二重新分配电路,芯片具有复数个输入/输出焊垫;封装胶体包裹于芯片外部;第一重新分配电路依据第一设计准则制作,设置于封装胶体的底侧;第一重新分配电路具有第一上层倒T型金属以及第一下层倒T型金属;经由第一上层倒T型金属电性耦合至芯片的输入/输出焊垫;第一重新分配电路向下扇出,使得第一下层倒T型金属具有一个密度低于第一上层倒T型金属;第二重新分配电路依据第二设计准则制作,设置于第一重新分配电路的底侧;第二重新分配电路具有第二上层倒T型金属与第二下层倒T型金属;第二重新分配电路向下扇出,使得第二下层倒T型金属具有一个密度低于第二上层倒T型金属;第二重新分配电路经由第二上层倒T型金属电性耦合至第一重新分配电路的第一下层倒T型金属的底侧;第二重新分配电路的任一导线的粗度与宽度,大于第一重新分配电路的任一导线的粗度与宽度。
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