[发明专利]一种Fe3O4纳米粒子图案化分布生长的制备方法有效
| 申请号： | 201610828400.0 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106319591B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王作斌;董莉彤;王璐;孟庆玲;翁占坤;宋正勋;许红梅 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25C5/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;卢纪 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开一种Fe或者Fe氧化物纳米粒子图案化分布生长的制备方法，利用氢化非晶硅材料的光电特性和电化学的方法，以投影仪作为诱导光源，照射到氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜‑ITO透明导电玻璃基底背面，在氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面形成光‑电场，在光‑电场的作用下，通过电化学技术，获得不同尺寸、不同形貌的Fe或者Fe氧化物纳米粒子，根据光场分布的改变，使氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面的电场分布发生改变，从而控制粒子图案化分布生长。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化非晶硅 氧化物纳米粒子 图案化分布 电场 薄膜表面 制备 生长 形貌 纳米粒子图案 透明导电玻璃 投影仪 电化学技术 电化学 电场分布 光场分布 光电特性 基底背面 诱导光源 薄膜 粒子 照射 | ||
【主权项】：
1.一种Fe3O4纳米粒子图案化分布生长的制备方法，其特征在于：利用氢化非晶硅(a‑Si:H)的光电特性，光源经过容器和溶液照射到氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜‑ITO透明导电玻璃基底背面，光透过ITO透明导电玻璃基底背面照射到氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜背面，氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜在光场的作用下产生电子，形成光‑电场，再利用光‑电场的作用，通过三相电极体系电化学技术，即以氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜‑ITO透明导电玻璃基底作为工作电极，以高纯铁片作为对电极，参比电极为饱和甘汞电极，通过电化学工作站提供直流电，电流为1‑10mA，在氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面获得不同尺寸、不同形貌的Fe3O4纳米粒子，以投影仪的高压汞灯作为光源，透过ITO透明导电玻璃基底背面，投影任意光斑图案至氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜背面，在氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面形成相应的光‑电场分布，根据光场分布的改变，使氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面的电场分布发生相应改变，从而控制Fe3O4纳米粒子图案化分布生长。
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