[发明专利]形成精细图案的方法有效
| 申请号： | 201610829332.X | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107221492B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 许仲君;金弘益;潘槿道;卜喆圭;金永式 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成精细图案的方法包括：在底层之上形成以行和列排列的柱体，并且在底层之上形成间隔件以覆盖柱体。分别覆盖排列在每个行或者每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触，以提供设置在沿着行方向和列方向之间的对角线方向排列的柱体之间的第一间隙空间，并且以在平面图中第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙。愈合层形成在间隔件层上,以填充第一间隙空间的裂隙。愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间，并且包括聚合物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 精细 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成精细图案的方法，所述方法包括：在底层之上形成以行和列排列的柱体；在底层之上形成间隔件层以覆盖柱体，其中，分别覆盖排列在每个行或每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触，以提供设置在柱体之间的第一间隙空间，第一间隙空间排列在行方向与列方向之间的对角线方向上，并且以在第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙；以及在间隔件层上形成愈合层，以填充第一间隙空间的裂隙，其中，愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间，并且包括聚合物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
