[发明专利]零温度系数电阻组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610832910.5 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107785351B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 温文莹;赵基宏;潘钦寒 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种零温度系数电阻组件，包括：半导体基板；第一介电层，位于半导体基板上；第一氮化钛层，具有负温度系数，位于第一介电层上；第二介电层，位于第一氮化钛层上；导电结构，内埋于第二介电层中；以及第二氮化钛层，具有正温度系数，位于第二介电层上，其中第二氮化钛层与第一氮化钛层连接。本发明也提供一种零温度系数电阻组件的制造方法，以及一种负温度系数电阻材料的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 系数 电阻 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种零温度系数电阻组件，包括：半导体基板；第一介电层，位于所述半导体基板上；第一氮化钛层，具有负温度系数，位于所述第一介电层上；第二介电层，位于所述第一氮化钛层上；导电结构，内埋于所述第二介电层中；以及第二氮化钛层，具有正温度系数，位于所述第二介电层上，其中所述第二氮化钛层与所述第一氮化钛层连接。
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