[发明专利]影像感测装置有效
| 申请号： | 201610834254.2 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107464821B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 林国峰;萧玉焜;谢锦全 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种影像感测装置，包括：一半导体基板；一被动层；以及一集光元件。该半导体基板包括一感光元件，而该被动层设置于该半导体基板上。该集光元件设置于该被动层上，且包括一第一回圈、一第二回圈、与一第三回圈。该第一回圈具有一第一宽度。该第二回圈环绕该第一回圈，且具有少于该第一宽度的一第二宽度。该第三回圈环绕该第一回圈与该第二回圈，且具有少于该第一宽度与该第二宽度的一第三宽度。该集光元件对准该感光元件，且该第一回圈、该第二回圈与该第三回圈包括不同的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种影像感测装置，包括：一半导体基板，包括一感光元件；一被动层，设置于该半导体基板上；以及一集光元件，设置于该被动层上，包括：一第一回圈，具有一第一宽度；一第二回圈，环绕该第一回圈，具有少于该第一宽度的一第二宽度；一第三回圈，环绕该第一回圈与该第二回圈，具有少于该第一宽度与该第二宽度的一第三宽度，其中该集光元件对准该感光元件，且该第一回圈、该第二回圈与该第三回圈包括不同的折射率，其中该第一回圈具有介于1.4‑1.7的折射率、该第二回圈具有介于1.7‑2.0的折射率、及该第三回圈具有介于2.0‑2.5的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
