[发明专利]半导体封装构造及其制造方法有效
| 申请号： | 201610841008.X | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN106935519B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/28;H01L23/29;H01L21/78 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 萧辅宽 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：/n提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，所述基板单元的面积介于98平方毫米到412.1平方毫米之间；/n设置多个芯片于所述多个基板单元上；/n设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；/n形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及/n切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
