[发明专利]一种湿法腐蚀方法有效
申请号: | 201610841527.6 | 申请日: | 2016-09-22 |
公开(公告)号: | CN106654859B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 周立;潘之炜;吴涛;李瑞彬;谭少阳 | 申请(专利权)人: | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215163 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用于高Al组分AlGaAs‑GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中;在室温环境下完成腐蚀。本发明选取H3PO4:H2O2腐蚀液,采用本发明的H2O2浓度,同样能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果,而且这个浓度的H2O2不会带来腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种应用于高Al组分AlGaAs‑GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其特征在于:其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中;在室温环境下完成腐蚀。
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