[发明专利]制造多结光伏装置的方法和光伏装置有效
申请号: | 201610842082.3 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN107425084B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | D.阿马里;S.莱姆;S.雷;D.福布斯 | 申请(专利权)人: | 埃皮沃克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/065 | 分类号: | H01L31/065;H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 制造多结光伏装置的方法和光伏装置。本发明公开了多结太阳能电池及其装置的制造。该结构还适于提供更加均匀和一致的太阳能电池结构制造,从而改善产率并降低成本。某些太阳能电池还可包括在一个或多个半导体层中的一个或多个半导体元素的一个或多个成分梯度,从而产生更加优化的太阳能电池装置。 | ||
搜索关键词: | 制造 多结光伏 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造多结光伏装置的方法,包括:由多个太阳能电池提供硅基太阳能电池,每个该太阳能电池来自不同的制造工艺,该硅基太阳能电池具有硅基板、包括该基板中的埋入发射极的第一有源单元以及待提供且兼容于硅基模块工艺的接触图案,该硅基太阳能电池是具功能性的、兼容于硅基模块工艺并且免于任何覆盖接触金属化,该硅基太阳能电池以晶片形式提供;将该硅基太阳能电池传送至用于第二有源区域的另一工艺操作工序;形成隧道结,且该隧道结的至少一部分形成在该第一有源单元中;形成提供在该隧道结上的第二有源单元,该隧道结包括第一半导体层和第二半导体层,该第一半导体层和该第二半导体层之一至少包括铝或镓;采用与硅基太阳能模块工艺兼容的多结接触图案形成覆盖该第二有源区域的接触层;将多结光伏装置提供至该硅基太阳能模块工艺,并且在该硅基太阳能模块工艺中采用该多结光伏装置;以及输出包括采用该接触图案的该多结光伏装置的模块。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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