[发明专利]一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法有效
| 申请号： | 201610842272.5 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106283175B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林哲帅;公丕富;罗思扬;吴以成;陈创天 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/10 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张文祎;赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本发明采用的溶剂为碱金属硝酸盐MNO3，其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs。本发明使用密闭容器抑制溶剂高温时的分解，并增强了高温溶剂对溶质的溶解；有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶体的生长温度，使得其生长温度在500℃以下，较目前650℃以上的生长温度有了显著的降低，有效地节约了能源；反应采用密闭容器，优化后采用经济的耐腐蚀耐高温材料内衬，极大地减少晶体生长过程中的贵金属损耗；整个方法简单易操作，有利于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 非线性光学晶体 密闭容器 有效地 溶剂 碱金属硝酸盐 晶体生长过程 耐高温材料 高温溶剂 贵金属 晶体的 耐腐蚀 内衬 溶质 溶解 分解 节约 能源 优化 | ||
【主权项】：
1.一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将反应物、矿化剂与溶剂充分研磨并混合均匀，作为反应原料放入密封容器；2）将籽晶放入密封容器采用籽晶法生长晶体，或者不放入籽晶采用自发成核生长晶体；3）将该密封容器置于电阻炉中，设置溶解温度，保持1~3天，随后缓慢降温至生长反应温度；4）设置晶体生长的降温速率，进行晶体生长，温度降至200℃时获得反应产物；5）随后以不大于20℃/小时的速率降温至室温，将步骤4）中获得的反应产物从密封容器中取出，使用去离子水洗涤，得到所需晶体；步骤3）中，所述溶解温度为450~600℃，所述生长反应温度区间为250~450℃；所述生长方法采用碱金属硝酸盐MNO3作为溶剂，其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs；所述生长方法在密封容器中进行。
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