[发明专利]动态随机存取存储器元件有效
申请号: | 201610843867.2 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107871742B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 张凯钧;陈意维;郑存闵;蔡志杰;刘玮鑫;李瑞珉;张家隆 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种动态随机存取存储器元件,包含基底、多个字符线与多个位线。字符线是设置在基底的第一沟槽内并沿着第一方向延伸。各字符线包含一阻障层,其中该阻障层具有一复合层结构包含TiSixNy,该复合层结构的底部的硅含量较高且该复合层结构的顶部的氮含量较高。位线则是设置在字符线上且沿着第二方向延伸,而第二方向则是横跨第一方向。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 元件 | ||
【主权项】:
1.一种随机动态处理存储器元件,其特征在于包含:多个字符线,设置在一基底的一第一沟槽内并沿着一第一方向延伸,各该字符线包含阻障层,其中该阻障层具有复合层结构,该复合层结构包含TiSixNy,x和y皆为大于零的常数,在该复合层结构的底部,x大于y;而在该复合层结构的顶部,x小于y;以及多个位线,设置在该些字符线上且沿着一第二方向延伸,该第二方向横跨该第一方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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