[发明专利]具有功率节省的混合电压非易失性存储器集成电路有效
申请号: | 201610844224.X | 申请日: | 2012-10-11 |
公开(公告)号: | CN107093441B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | H.V.陈;A.李;T.武;H.Q.阮 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/08;G11C16/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种集成电路管芯具有用于接收第一电压的第一管芯焊盘和用于接收第二电压的第二管芯焊盘。第二电压小于第一电压。在第一电压下可操作的第一电路在集成电路管芯中。在第二电压下可操作的第二电路在集成电路管芯中并被连接到第二管芯焊盘。检测来自第二管芯焊盘的电流流动的电路在集成电路管芯中。在第一管芯焊盘与第一电路之间插入的开关响应于由用于检测电流流动的电路所检测的电流流动而将第一管芯焊盘从第一电路断开。 | ||
搜索关键词: | 具有 功率 节省 混合 电压 非易失性存储器 集成电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路非易失性存储设备,包括:非易失性存储单元阵列;读出放大器,被连接到非易失性存储单元的所述阵列;第一电压源,被连接到非易失性存储单元的所述阵列以及所述读出放大器的第一部分;以及不同于所述第一电压源的第二电压源,被连接到所述读出放大器的第二部分,其中,所述读出放大器的所述第二部分包括具有第二栅极氧化物的晶体管,其中,所述第二栅极氧化物具有不同于第一栅极氧化物厚度的厚度,其中,所述读出放大器的所述第一部分具有输出节点,并在输出节点处包括钳位输出电压以防止第二栅极氧化物的受压或毁坏。
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